本文采用碳熱法還原V2O5制備釩的氧化物VO2。用XRD分析生成物的相結構,用DSC/TGA的分析結果推測反應歷程。結果表明:反應經歷了674°C-710°C期間生成V6O13和710°C以上完全形成VO2的過程。將VO2與LAS玻璃復合燒結成陶瓷,對其進行阻溫測試,結果表明:在室溫至100°C間復合陶瓷電阻急驟下降,這是由VO2的半導體-金屬相變效應引起的。
從生產硫酸用過的廢釩催化劑中,用Na_2SO_3-H_2SO_4溶液浸出釩,浸出率為92%。浸出液經二步沉淀,可得V_2O_5含量大于99%的產品。計算的釩總回收率為90%,實際總回收率約80%。采用該流程從上述廢釩催化劑中回收V_2O_5具有明顯的經濟效益。 采用射頻磁控濺射的方法,在不同條件下制備了氧化釩薄膜樣品,分別在不同溫度條件下做了退火處理,并對退火前后樣品做了X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)和激光掃描共聚焦顯微鏡測試與分析,旨在得出制備良好的V2O5 薄膜的條件。
用工業V2 O5為原料采用無機溶膠 -凝膠法制備V2 O5溶膠和凝膠 ,并用此膠體在不同襯底上制備出透明的半導體V2 O5薄膜。研究了膠體粘度對涂膜的影響 ,以及薄膜電阻率與溫度、烘干處理和厚度的關系。用掃描電子顯微鏡 (SEM)研究了薄膜的微觀形貌 ,用XRD研究了薄膜的成份及其變化。結果表明 :膠體粘度對涂膜有較大影響 ;溫度、濕份、薄膜厚度對薄膜電阻率均有較大影響 ;V2 O5薄膜由針狀V2 O5顆粒組成 ,在襯底上呈均勻分布 ,且結構比較密集 ,其顆粒徑向尺寸為 0 .5~ 1.0 μm ,長度方向為 3 0~ 5 0 μm。烘干處理后顆粒輪廓略有模糊、結構稀疏且尺寸有所長大 ,同時新生成了一些釩化合物。